Исследователями из Гарвардского университета создан самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра и кремниевых нанострун. Как говорят эксперты, это самый совершенный полевой транзистор, который когда-либо был создан.

"Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 3-4 раза, чем современные кремниевые CMOS, - комментирует открытие Чарльз Либре. - Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET-ами. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств – нанострунный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследованиям в области наноэлектроники".

Либер и его коллеги создали структуру «ядро-нити» в Ge/Si наноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобильностью носителей зарядов.

Как было установлено, время переключения нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзистора, состоящего из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных MOSFET устройств.

Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS–технология уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использования в микропроцессорах будущего.

Также Либер уточнил, что нанотранзистор технологически совместим с логическими схемами на прозрачных и гибких основах – пластике, органических пленках и т.п.

Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзистора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схемах. Также Либер и его команда разрабатывают технологию массового производства подобных устройств.